В Новосибирске придумали самую быструю флешку

В ней используется мультиграфен.

Благодаря этому флешка может работать в несколько раз быстрее. Проект хранилища нового времени разработали сотрудники института физики полупроводников СО РАН. 

 

Помимо мультиграфена необходимыми компонентами такой флеш-памяти являются туннельный и блокирующий слои, пишет "Наука в Сибири". Первый изготавливается из оксида кремния, второй, как правило, из диэлектрика с высоким значением диэлектрической проницаемости. 

 

- Так как для флеш-памяти на основе мультиграфена требуется тонкий туннельный слой, то быстродействие повышается в два-три раза. Ко всему прочему мы можем использовать более низкие напряжения перепрограммирования, а большая работа выхода позволяет долго хранить инжектированный заряд, – отметил старший научный сотрудник ИФП СО РАН, кандидат физико-математических наук Юрий Новиков.

 

Для того чтобы выпускать такие флешки, необходимо построить завод с современными технологиями стоимостью порядка пяти миллиардов долларов.

4840

Вернуться к списку всех новостей


Комментарии:
Перед тем как оставить комментарий, прочтите правила
Для того, чтобы оставить комментарий без регистрации необходимо заполнить форму, приведенную ниже
Ваше имя*:
Ваш E-mail:
Ваш комментарий*:
Введите числа с картинки:



  • Самое популярное
  • /
  • Обсуждаемое
Новости партнеров
25 мая 2017
239 0
26 мая 2017
150 0
24 мая 2017
152 0
09 мая 2017
644 0
02 мая 2017
793 0
27 мая 2017
142 0
28 мая 2017
101 0
Наверх